品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8819EDB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@6V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@1.5A,3.7V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2010UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3350pF@10V
连续漏极电流:12.7A€42A
类型:P沟道
导通电阻:9.5mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:42.5mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3415U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:294pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2230pF@15V
连续漏极电流:8.6A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: