采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K17-60E，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：53W
阈值电压：1.7V@1mA
栅极电荷：16.5nC@5V
输入电容：1.667nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：2个N沟道
反向传输电容：91pF@25V
导通电阻：14mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K13-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.16nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5744}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：2.59nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K35-60RAX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：7.8nC@5V
输入电容：1.081nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：2个N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K25-40RAX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.3nC@5V
输入电容：701pF@25V
连续漏极电流：18.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K25-40RAX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.3nC@5V
输入电容：701pF@25V
连续漏极电流：18.2A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：1.47nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：2.59nF@25V
连续漏极电流：98A
类型：2个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@14μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：65mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB46ELP-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：34W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.1nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：8mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJB48EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W
阈值电压：3.3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH4014LPDQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.41W€42.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：10.2nC@10V
输入电容：733pF@20V
连续漏极电流：43.6A€10.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K13-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.16nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K35-60RAX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：7.8nC@5V
输入电容：1.081nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：2个N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K13-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：19.4nC@10V
输入电容：1.16nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：2个N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：41W
阈值电压：4V@15μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：1.47nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.127nF@25V
连续漏极电流：7.1A€22.6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
