品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.41W€42.8W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.2nC@10V
输入电容:733pF@20V
连续漏极电流:43.6A€10.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:780pF@25V
连续漏极电流:5.1A
类型:2个N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:755pF@25V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个N沟道
导通电阻:29mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:41mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:840pF@30V
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:60V
功率:3.7W
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:6.5A
阈值电压:3V@250μA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:840pF@30V
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:60V
功率:3.7W
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:6.5A
阈值电压:3V@250μA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:840pF@30V
导通电阻:41mΩ@10V,5.3A
工作温度:-55℃~+175℃
漏源电压:60V
功率:3.7W
栅极电荷:25nC@10V
连续漏极电流:6.5A
阈值电压:3V@250μA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: