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    类型: 2个N沟道
    工作温度: -55℃~+175℃
    阈值电压: 3V@250μA
    当前匹配商品:20+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订数2500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订数2500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:2.127nF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.41W€42.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    输入电容:733pF@20V

    连续漏极电流:43.6A€10.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.41W€42.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    输入电容:733pF@20V

    连续漏极电流:43.6A€10.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.41W€42.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    输入电容:733pF@20V

    连续漏极电流:43.6A€10.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订数1250个
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订数1250个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:2.127nF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6022SSD-13 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:32nC@10V

    输入电容:2.127nF@25V

    连续漏极电流:7.1A€22.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:27mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.41W€42.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    输入电容:733pF@20V

    连续漏极电流:43.6A€10.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LPDQ-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LPDQ-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.41W€42.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    输入电容:733pF@20V

    连续漏极电流:43.6A€10.6A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7341QTR 起订数2000个
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7341QTR 起订数2000个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:44nC@10V

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:50mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7313QTR 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRF7313QTR 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:33nC@10V

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:29mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数7500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数7500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:41mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:840pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:840pF@30V

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    工作温度:-55℃~+175℃

    漏源电压:60V

    功率:3.7W

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    阈值电压:3V@250μA

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:840pF@30V

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    工作温度:-55℃~+175℃

    漏源电压:60V

    功率:3.7W

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    阈值电压:3V@250μA

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数12500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4946BEY-T1-E3 起订数12500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:840pF@30V

    导通电阻:41mΩ@10V,5.3A

    工作温度:-55℃~+175℃

    漏源电压:60V

    功率:3.7W

    栅极电荷:25nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    阈值电压:3V@250μA

    类型:2个N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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