品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:46.9A€10.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y33-60P,115
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:69nC@10V
输入电容:2.59nF@30V
连续漏极电流:30A
类型:1个P沟道
导通电阻:33mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:2.127nF@25V
连续漏极电流:7.1A€22.6A
类型:2个N沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4008LFDFW-7
工作温度:-55℃~+175℃
功率:990mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:14.2nC@10V
输入电容:1.03nF@20V
连续漏极电流:11.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD3055LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:107mΩ@8A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DY
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:24nC@5V
输入电容:1.604nF@15V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4675
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.35nF@20V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:13mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI100N10PQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:250W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.4nF@30V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.35nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: