采购热线 400-661-9010
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT50N06D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：87W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：11mΩ@10V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT50N06D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：87W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：11mΩ@10V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：8.3W€136W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：160nC@10V
输入电容：4.7nF@40V
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：25.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.143nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，12A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.143nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，12A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
