采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
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功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15nC@4.5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：1.04W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：8nC@10V
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个N沟道
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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