品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D8LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@250mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2154-6/TR
功率:300mW
阈值电压:580mV@250μA
栅极电荷:1.15nC@4.5V
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:7.5pF@10V
导通电阻:220mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKDW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKDW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA602T-T1-A
功率:300mW
阈值电压:1.8V@1μA
ECCN:EAR99
输入电容:16pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:25Ω@10mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:2个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,250mA
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA602T-T1-A
功率:300mW
阈值电压:1.8V@1μA
ECCN:EAR99
输入电容:16pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:25Ω@10mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":51620}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA602T-T2-A
功率:300mW
阈值电压:1.8V@1μA
ECCN:EAR99
输入电容:16pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:25Ω@10mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":51620}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA602T-T2-A
功率:300mW
阈值电压:1.8V@1μA
ECCN:EAR99
输入电容:16pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:25Ω@10mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PS
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:870pC@10V
输入电容:22pF@25V
连续漏极电流:180mA
类型:2个N沟道
导通电阻:6Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
类型:2个N沟道
输入电容:67pF@10V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
类型:2个N沟道
输入电容:67pF@10V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
阈值电压:900mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:500mA
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
类型:2个N沟道
输入电容:67pF@10V
功率:300mW
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PS
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKDW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138PS
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKDW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJX8808_R1_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:900mV@250μA
栅极电荷:1.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:67pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:2个N沟道
导通电阻:400mΩ@4.5V,500mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKS
功率:300mW
阈值电压:1.2V@250mA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138BKS
功率:300mW
阈值电压:1.2V@250mA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKDW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138AKDW
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:650pC
输入电容:25pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:2.2pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: