品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F-ES
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-7-F-ES
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KDW
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002NXAKR
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA675T-T1-A
功率:200mW
阈值电压:1.1V@10μA
ECCN:EAR99
输入电容:10pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA675T-T1-A
功率:200mW
阈值电压:1.1V@10μA
ECCN:EAR99
输入电容:10pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:2个N沟道
导通电阻:12Ω@10mA,4V
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBT7002DW
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115A
类型:2个N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):L2N7002KDW1T1G-ES
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWH6327-ES
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKS
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):L2N7002KDW1T1G-ES
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002NXAKR
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KDW
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWH6327-ES
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKS
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002NXAKR
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWH6327-ES
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002BKS
功率:200mW
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:1.12nC
输入电容:30.5pF
连续漏极电流:300mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4.1pF
导通电阻:1.5Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: