品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:41.9nC@10V
输入电容:2.026nF@30V
连续漏极电流:14.2A
类型:2个N沟道
导通电阻:8.6mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC4C002NLTDG
阈值电压:2.2V@1mA
输入电容:6.2nF@15V
功率:2.6W
栅极电荷:45nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: