采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2371T1P-E1-A
ECCN：EAR99
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR8205
功率：1.14W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Sanyo Denki
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW274-TL-E
功率：2.2W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V，6A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Sanyo Denki
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW274-TL-E
功率：2.2W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDB-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Sanyo Denki
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW274-TL-E
功率：2.2W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Sanyo Denki
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW274-TL-E
功率：2.2W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR8205
功率：1.14W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR8205
功率：1.14W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR8205
功率：1.14W
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Sanyo Denki
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW274-TL-E
功率：2.2W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Sanyo Denki
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2412-TL-H
功率：1.3W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：散装
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：27mΩ@3A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
栅极电荷：10.1nC@5V
功率：1.4W
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
导通电阻：30mΩ@6A，10V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR8205
漏源电压：20V
导通电阻：30mΩ@2.5V
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：6A
功率：1.14W
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
栅极电荷：10.1nC@5V
功率：1.4W
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
导通电阻：30mΩ@6A，10V
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Sanyo Denki
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：15000}
规格型号(MPN)：FW274-TL-E
功率：2.2W
漏源电压：30V
栅极电荷：9.1nC@10V
阈值电压：2.6V@1mA
类型：2个N沟道
导通电阻：37mΩ@6A，10V
连续漏极电流：6A
ECCN：EAR99
输入电容：490pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
