采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6662TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@25V
连续漏极电流：8.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD25CN10NGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@39µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@50V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6662TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.8W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@25V
连续漏极电流：8.3A€47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3672-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@25V
连续漏极电流：7.2A€44A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N10S3L34ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：57W
阈值电压：2.4V@29µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1976pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5476AL_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€83W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.519nF@30V
连续漏极电流：6.5A€42A
类型：1个N沟道
导通电阻：28.5mΩ@4.5V，15A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
