品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA80N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3040pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4296
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@50V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@13.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ52P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2845pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@52A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ52P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2845pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@52A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP52P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2845pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@52A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP80N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3040pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA80N10T
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3040pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH52P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2845pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@52A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH52P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2845pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@52A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ52P10P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:2845pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@52A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86103L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3710pF@50V
连续漏极电流:12A€49A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:3V@270µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4411pF@50V
连续漏极电流:19.5A€131A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@48A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: