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    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA80N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3040pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4296 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4296 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4296

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3130pF@50V

    连续漏极电流:13.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52P10P 起订270个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52P10P 起订270个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ52P10P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2845pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@52A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52P10P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52P10P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ52P10P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2845pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@52A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP52P10P 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP52P10P 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP52P10P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2845pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@52A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP80N10T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP80N10T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP80N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3040pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA80N10T 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA80N10T

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3040pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@25A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH52P10P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH52P10P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH52P10P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2845pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@52A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH52P10P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH52P10P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH52P10P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2845pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@52A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882ADP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1975pF@50V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD40N10-25-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD40N10-25-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52P10P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ52P10P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ52P10P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:2845pF@25V

    连续漏极电流:52A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@52A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP110N10F7 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N10F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5500pF@50V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@55A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86103L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86103L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3710pF@50V

    连续漏极电流:12A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS3D6N10MCLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS3D6N10MCLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€136W

    阈值电压:3V@270µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4411pF@50V

    连续漏极电流:19.5A€131A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@48A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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