采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6484
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：19.2nC
输入电容：780pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：26pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ160N10NS3G
功率：2.1W
阈值电压：3.5V@33μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@10V，20A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LPDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：6.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：222mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4292SC
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESP10N10
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：4.2nC
输入电容：206pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4292SC
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESP10N10
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：4.2nC
输入电容：206pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4292SC
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6484
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：19.2nC
输入电容：780pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：26pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS4292SC
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@4.5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6484
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：19.2nC
输入电容：780pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：26pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESP10N10
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：4.2nC
输入电容：206pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.4pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN6484
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：19.2nC
输入电容：780pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：26pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4486
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：12nC
输入电容：815pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4486
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：12nC
输入电容：815pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4486
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：12nC
输入电容：815pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4486
功率：2.7W
阈值电压：1.85V@250μA
栅极电荷：12nC
输入电容：815pF
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：85mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：3.1W
阈值电压：2.7V@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LPDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：6.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：222mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
