采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@50V
连续漏极电流：12.5A€45.3A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@50V
连续漏极电流：12.5A€45.3A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5CGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"9999"：300}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA082N10NF2SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：35W
阈值电压：3.8V@46µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5CGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP16DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€5W
阈值电压：2V@1.037mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2.1nF@50V
连续漏极电流：2.1A€3.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@10V，2.2A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@50V
连续漏极电流：12.5A€45.3A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@50V
连续漏极电流：12.5A€45.3A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5CGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5CGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@50V
连续漏极电流：12.5A€45.3A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@50V
连续漏极电流：12.5A€45.3A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS46DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€65.7W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@50V
连续漏极电流：12.5A€45.3A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5CGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP16DP10LMXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W€5W
阈值电压：2V@1.037mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2.1nF@50V
连续漏极电流：2.1A€3.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@10V，2.2A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC4D2N10MC
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.9W€122W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2856pF@50V
连续漏极电流：29.6A€116A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5CGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：3.8V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：14A€85A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
