品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT130N10D3
阈值电压:4V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.6mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC098N10NS5
功率:2.5W
阈值电压:3.8V@36μA
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.8mΩ@10V,30A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT048N10T
阈值电压:2.5V
连续漏极电流:110A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:3.8V@275μA
栅极电荷:208nC@10V
输入电容:16nF@50V
连续漏极电流:354A€35A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT10N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:17W
阈值电压:2V
栅极电荷:4.3nC@10V
输入电容:206pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
反向传输电容:1.4pF@50V
导通电阻:115mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3G
功率:150W
阈值电压:3.5V@90μA
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.8mΩ@10V,90A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH3R70APL,L1Q(M
功率:960mW
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.7mΩ@10V,45A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP072N10N3 G
功率:150W
阈值电压:3.5V@90μA
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2mΩ@10V,80A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):18N10
工作温度:-55℃~+150℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:28nC@10V
输入电容:1.318nF@50V
连续漏极电流:25A
类型:1个N沟道
导通电阻:37mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC160N10NS3G
功率:60W
阈值电压:3.5V@33μA
连续漏极电流:42A
类型:1个N沟道
导通电阻:16mΩ@10V,33A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:3V@131μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.695nF@50V
连续漏极电流:14A€60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@50V
导通电阻:7.8mΩ@10V,23A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86150
功率:156W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.85mΩ@10V,16A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT1003A
功率:1.6W
阈值电压:1.7V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:110mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSR010N10FHATL
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:520mΩ@10V,1A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT045N10M
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:101.6nC@10V
输入电容:6.124nF@50V
连续漏极电流:139A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@50V
导通电阻:4.1mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:1.7V
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:1.625nF@50V
连续漏极电流:55A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@50V
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H009LPSQ-13
类型:1个N沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT130N10D3
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.6mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6P040BHTB1
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.7nC@10V
输入电容:1.08nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC070N10NS5
功率:2.5W
阈值电压:3.8V@50μA
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@10V,40A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT130N10D3
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:52A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.6mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1005
功率:9.3W
阈值电压:1.9V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:123mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060N10NS3G
功率:125W
阈值电压:3.5V@90μA
连续漏极电流:14.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT080N10D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3.65nF@50V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@50V
导通电阻:6mΩ@10V,50A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86113LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@50V
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,3.3A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH10H1M7STLW-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:6W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:147nC@10V
输入电容:9.871nF@50V
连续漏极电流:250A
类型:1个N沟道
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT105N10K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:1.574nF@50V
连续漏极电流:60A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1002L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:413pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: