采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15810
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15810
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15810
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15810
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP15810
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ130N10T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：360W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：104nC@10V
输入电容：5.08nF@25V
连续漏极电流：130A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.1mΩ@10V，25A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ130N10T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：360W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：104nC@10V
输入电容：5.08nF@25V
连续漏极电流：130A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.1mΩ@10V，25A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH15810-2
功率：250W
阈值电压：4.5V@250μA
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9mΩ@10V，55A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ200N10T
工作温度：-55℃~+175℃
功率：550W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9.4nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
