采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1443-H
工作温度：150℃
功率：1W€19W
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：490pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4900}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1443-W
工作温度：150℃
功率：1W€19W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：散装
输入电容：490pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：225mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA700CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP10H400SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1239pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：240mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
