采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN170P10P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：890W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
栅极电荷：240 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：12600 pF @ 25 V
连续漏极电流：170A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP76P10T
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：298W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：197 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：13700 pF @ 25 V
连续漏极电流：76A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：25 毫欧 @ 38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH75N10L2
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：400W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：215 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：8100 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：21 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK170P10P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：890W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
栅极电荷：240 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：12600 pF @ 25 V
连续漏极电流：170A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT140P10T
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：568W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：400 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：31400 pF @ 25 V
连续漏极电流：140A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK170P10P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：890W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
栅极电荷：240 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：12600 pF @ 25 V
连续漏极电流：170A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK170P10P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：890W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
栅极电荷：240 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：12600 pF @ 25 V
连续漏极电流：170A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4760 pF @ 25 V
连续漏极电流：57A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4760 pF @ 25 V
连续漏极电流：57A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.8W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：48 nC @ 10 V
输入电容：2058 pF @ 50 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），39A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14.9 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK200N10L2
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1040W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 3mA
栅极电荷：540 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：23000 pF @ 25 V
连续漏极电流：200A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
包装方式：管件
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK200N10L2
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1040W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 3mA
栅极电荷：540 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：23000 pF @ 25 V
连续漏极电流：200A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK200N10L2
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1040W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 3mA
栅极电荷：540 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：23000 pF @ 25 V
连续漏极电流：200A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：360mW（Ta）
阈值电压：2V @ 1mA
栅极电荷：2.5 nC @ 10 V
输入电容：21.5 pF @ 25 V
连续漏极电流：170mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：6 欧姆 @ 170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：5 nC @ 10 V
输入电容：210 pF @ 50 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：109 毫欧 @ 2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK200N10L2
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1040W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 3mA
栅极电荷：540 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：23000 pF @ 25 V
连续漏极电流：200A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：11 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT140P10T
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：568W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：400 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：31400 pF @ 25 V
连续漏极电流：140A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.6W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：5 nC @ 10 V
输入电容：210 pF @ 50 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：109 毫欧 @ 2.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTN170P10P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：890W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
栅极电荷：240 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：12600 pF @ 25 V
连续漏极电流：170A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：12 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
