采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG150N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：211W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：6.6nF@25V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
反向传输电容：210pF@25V
导通电阻：5mΩ@10V，70A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB4110
工作温度：-55℃~+175℃
功率：211W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：6.6nF@25V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
反向传输电容：210pF@25V
导通电阻：5mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG150N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：211W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：6.6nF@25V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
反向传输电容：210pF@25V
导通电阻：5mΩ@10V，70A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
输入电容：4454pF@50V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4454pF@50V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG180N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：211W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：13.5nF@25V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
反向传输电容：635pF@25V
导通电阻：5mΩ@10V，70A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG150N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：211W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：6.6nF@25V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
反向传输电容：210pF@25V
导通电阻：5mΩ@10V，70A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG150N10P
工作温度：-55℃~+175℃
功率：211W
阈值电压：3.9V@250μA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：6.6nF@25V
连续漏极电流：150A
类型：1个N沟道
反向传输电容：210pF@25V
导通电阻：5mΩ@10V，70A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：3000，"23+"：3000，"9999"：236，"MI+"：1000}
规格型号(MPN)：PSMN9R5-100PS，127
导通电阻：9.6mΩ@15A，10V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
输入电容：4454pF@50V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：82nC@10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
