品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLML0100TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@25µA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H120SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:549pF@50V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1002L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:413pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.1nC@5V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
连续漏极电流:1A€800mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H032LFVW-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:11.9nC@10V
输入电容:683pF@50V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:32mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
连续漏极电流:1A€800mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMHC10A07T8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:138pF@60V€141pF@50V
连续漏极电流:1A€800mA
导通电阻:700mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2085pF@50V
连续漏极电流:14A€80A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN10H220LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:401pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@1.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7922DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@2.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:散装
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:700mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@420mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLD120PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12nC@5V
包装方式:管件
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:1.3A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@780mA,5V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@600mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: