品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:370W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:370W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK755R4-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7268,"20+":13700,"23+":8000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N10S403AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:3.5V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10120pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15265pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB027N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14800pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7295pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3691,"22+":13334,"23+":25985}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N10S405AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:3.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6540pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70040E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:散装
输入电容:5100pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@270µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15600pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS4310ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6860pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R7-100BSEJ
工作温度:175℃
功率:405W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:246nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16370pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.95mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@270µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15600pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP036N10A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7.295nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N10S405ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:3.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":500,"18+":3300,"9999":301}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E5R2-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7295pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70040E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB035N10A
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7295pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023N10N5
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:210nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:120A
类型:MOSFET
导通电阻:2mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB027N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14800pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB033N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70101EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10.1mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4310ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6860pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: