采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF75645S3ST
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：238 nC @ 20 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3790 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH320N10T2
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1000W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：430 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：26000 pF @ 25 V
连续漏极电流：320A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.5 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：7730}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB047N10
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：375W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：210 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15265 pF @ 25 V
连续漏极电流：120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.7 毫欧 @ 75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH75N10L2
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：400W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：215 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：8100 pF @ 25 V
连续漏极电流：75A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：21 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530A
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：55W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：36 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：790 pF @ 25 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：110 毫欧 @ 7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3632
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：310W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：110 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：6000 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Ta），80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：9 毫欧 @ 80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4760 pF @ 25 V
连续漏极电流：57A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH110N10L2
功率：600W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：260 nC @ 10 V
包装方式：散装
输入电容：10500 pF @ 25 V
连续漏极电流：110A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：18 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：340W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：175nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11900pF@50V
连续漏极电流：201A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.3W（Ta），125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：300 nC @ 10 V
输入电容：11560 pF @ 25 V
连续漏极电流：375A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.5 毫欧 @ 74A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH320N10T2
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1000W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：430 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：26000 pF @ 25 V
连续漏极电流：320A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.5 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH320N10T2
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：1000W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：430 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：26000 pF @ 25 V
连续漏极电流：320A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：3.5 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP150N10
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：110W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：69 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4760 pF @ 25 V
连续漏极电流：57A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：260W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：120 nC @ 10 V
输入电容：3830 pF @ 25 V
连续漏极电流：80A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：15 毫欧 @ 45A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP12N10L
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：60W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：900 pF @ 25 V
连续漏极电流：12A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 12A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），35W（Tc）
阈值电压：4V @ 130µA
栅极电荷：34 nC @ 10 V
输入电容：2475 pF @ 50 V
连续漏极电流：76A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：4.8W（Ta），57W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：48 nC @ 10 V
输入电容：2058 pF @ 50 V
连续漏极电流：11.3A（Ta），39A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：14.9 毫欧 @ 15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：48W（Tc）
阈值电压：2V @ 250µA
栅极电荷：64 nC @ 5 V
输入电容：2200 pF @ 25 V
连续漏极电流：17A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：77 毫欧 @ 10A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA130N10T
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：360W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：104 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：5080 pF @ 25 V
连续漏极电流：130A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：9.1 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：2.4W（Ta），35W（Tc）
阈值电压：4V @ 130µA
栅极电荷：34 nC @ 10 V
输入电容：2475 pF @ 50 V
连续漏极电流：76A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：8.5 毫欧 @ 76A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86106LZ
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W（Ta）
阈值电压：2.2V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315 pF @ 50 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：108 毫欧 @ 3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB55N10TM
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3.75W（Ta），155W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730 pF @ 25 V
连续漏极电流：55A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：26 毫欧 @ 27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
