采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD70140EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6294
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€57W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6416ANLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA083N10NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.8V@49µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6294
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€57W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2265pF@50V
连续漏极电流：17A€52A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10YHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：55Ω@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP085N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2695pF@50V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@96A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA083N10NM5SXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：3.8V@49µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.3mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：88W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：56mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD70140EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6416ANLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：74mΩ@19A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD15NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@12A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC25P10YHE3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@50V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：55Ω@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD70140EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：900，"12+"：4200，"13+"：9224，"9999"：1476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD6414AN-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
