包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：33W

阈值电压：2.4V

栅极电荷：13.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

类型：MOSFET

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

栅极电荷：13.3nC

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2.4V

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

功率：33W

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIZ270DT-T1-GE3

包装方式：Reel

连续漏极电流：19.5A€19.1A

栅极电荷：13.3nC

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：2.4V

导通电阻：37.7mΩ€39.4mΩ

功率：33W

漏源电压：100V

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：488，"19+"：562，"21+"：250，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA126N10N3GXKSA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：3.5V@45µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：35nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2500pF@50V

连续漏极电流：35A

类型：N沟道

导通电阻：12.6mΩ@35A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"17+"：488，"19+"：562，"21+"：250，"MI+"：500}

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPA126N10N3GXKSA1

工作温度：-55℃~175℃

功率：33W

阈值电压：3.5V@45µA

ECCN：EAR99

栅极电荷：35nC@10V

包装方式：管件

输入电容：2500pF@50V

连续漏极电流：35A

类型：N沟道

导通电阻：12.6mΩ@35A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1