品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9Z24GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:37W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF9Z24STRR-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.2V@282µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@50V
连续漏极电流:10.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB17N25S3100ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y13-40B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1311pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-40MSDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:59W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1322pF@20V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@20V
连续漏极电流:8A€19A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2V@23µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9024PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:散装
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS6H850NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€107W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@40V
连续漏极电流:11A€68A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":15829,"21+":13}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP17N25S3100AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.2V@282µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@50V
连续漏极电流:10.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS015N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.2V@282µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1338pF@50V
连续漏极电流:10.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D23-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.3W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:582pF@20V
连续漏极电流:8A€19A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":15829,"21+":13}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP17N25S3100AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@54µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@17A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS015N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.2V@282µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13380pF@50V
连续漏极电流:10.5A€54A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@14A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z24PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@6.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: