采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB17N25S3100ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@54µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@17A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H850NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€107W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@40V
连续漏极电流：11A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H850NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€107W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@40V
连续漏极电流：11A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF9Z24STRR-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB17N25S3100ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@54µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@17A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB17N25S3100ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@54µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@17A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y13-40B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1311pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-40MSDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：59W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1322pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H850NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€107W
阈值电压：4V@70µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@40V
连续漏极电流：11A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@20V
连续漏极电流：8A€19A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N03S2L20ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：2V@23µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：散装
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@960mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS6H850NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€107W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@40V
连续漏极电流：11A€68A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：15829，"21+"：13}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP17N25S3100AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@54µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@17A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9020PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@1µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@960mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：582pF@20V
连续漏极电流：8A€19A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：15829，"21+"：13}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP17N25S3100AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@54µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@17A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13380pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
