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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4532AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@15V€528pF@15V
连续漏极电流：7.3A€5.3A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3021LSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：767pF@10V
连续漏极电流：8.5A€7A
类型：N和P沟道
导通电阻：21mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9952TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：3.5A€2.3A
类型：N和P沟道
导通电阻：100mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC6420C
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：324pF@10V
连续漏极电流：3A€2.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：70mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3590DV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A€1.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：77mΩ@3A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ570EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流：15A€9.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM8568CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@15V€1089pF@15V
连续漏极电流：15A€13A
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC3F31DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：6.8A€4.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UCE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA€550mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6321C
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：500mA€410mA
类型：N和P沟道
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5504BDC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.12W€3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：4A€3.7A
类型：N和P沟道
导通电阻：65mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC25D0UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26.2pF@10V
连续漏极电流：400mA€3.2A
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V€30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ1539EH-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：48pF@15V€50pF@15V
连续漏极电流：850mA
类型：N和P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC2450UV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37.1pF@10V
连续漏极电流：1.03A€700mA
类型：N和P沟道
导通电阻：480mΩ@200mA，5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX1029X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：330mA€170mA
类型：N和P沟道
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX6020CAKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V€36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N和P沟道
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3025LDV-13
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V€1188pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：N和P沟道
导通电阻：25mΩ@7A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ560EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：30A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6M3TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V€20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M24FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：4.5A€3.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX6020CAKSX
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V€36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N和P沟道
漏源电压：60V€50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3028LSDX-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：5.5A€5.8A
类型：N和P沟道
导通电阻：27mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6L14FE(TE85L，F)
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：90pF@10V€110pF@10V
连续漏极电流：800mA€720mA
类型：N和P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC25D1UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@10V
连续漏极电流：500mA€3.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V€12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC3400SDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@15V
连续漏极电流：650mA€450mA
类型：N和P沟道
导通电阻：400mΩ@590mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
