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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ570EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流：15A€9.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M51GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ570EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流：15A€9.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFC013NP10M5L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€102W
阈值电压：3V@158µA€4V@158µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流：9A€60A€5A€36A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M51TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V€950pF@25V
连续漏极电流：2A€1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ570EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流：15A€9.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8M51TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V€1430pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFC013NP10M5L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€102W
阈值电压：3V@158µA€4V@158µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1345pF@50V€2443pF@50V
连续漏极电流：9A€60A€5A€36A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ570EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流：15A€9.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTBC070NP10M5L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€14W€1.9W€10W
阈值电压：3V@24µA€4V@40µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V€256pF@50V
连续漏极电流：3.5A€9.5A€2.2A€5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMC10A816N8TC
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：497pF@50V€717pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N和P沟道
导通电阻：230mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ570EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V€600pF@25V
连续漏极电流：15A€9.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMC083NP10M5L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W€3.1W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：222pF@50V€525pF@50V
连续漏极电流：2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8M51TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V€1430pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M51HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V€1550pF@25V
连续漏极电流：3A€2.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M51TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V€950pF@25V
连续漏极电流：2A€1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8M51TR
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V€950pF@25V
连续漏极电流：2A€1.5A
类型：N和P沟道
导通电阻：325mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8M51TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@50V€1430pF@50V
连续漏极电流：4.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTBC070NP10M5L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€14W€1.9W€10W
阈值电压：3V@24µA€4V@40µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V€256pF@50V
连续漏极电流：3.5A€9.5A€2.2A€5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTBC070NP10M5L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€14W€1.9W€10W
阈值电压：3V@24µA€4V@40µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：252pF@50V€256pF@50V
连续漏极电流：3.5A€9.5A€2.2A€5A
类型：N和P沟道
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
