采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta）
阈值电压：2.6V @ 1mA
栅极电荷：4 nC @ 10 V
输入电容：186 pF @ 20 V
连续漏极电流：3A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：104 毫欧 @ 1.5A，10V
漏源电压：35V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 1mA
输入电容：15 pF @ 30 V
连续漏极电流：310mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 310mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：625W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：350 nC @ 10 V
输入电容：16870 pF @ 100 V
连续漏极电流：96A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：22 毫欧 @ 47A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：2.9nC @ 5V
输入电容：280pF @ 10V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：38 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STY112N65M5
工作温度：150℃
功率：625W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16870pF@100V
连续漏极电流：96A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@47A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 1mA
栅极电荷：23.5 nC @ 4.5 V
输入电容：1660 pF @ 10 V
连续漏极电流：10A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：15.6mOhm @ 10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：2.9nC @ 5V
输入电容：280pF @ 10V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：38 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.4W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：1.7nC @ 5V
输入电容：100pF @ 10V
连续漏极电流：5.2A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：85mOhm @ 5.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：2.9nC @ 5V
输入电容：280pF @ 10V
连续漏极电流：6A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：38 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2V @ 10µA
输入电容：47 pF @ 30 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：680 毫欧 @ 400mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2V @ 10µA
输入电容：47 pF @ 30 V
连续漏极电流：400mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：680 毫欧 @ 400mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 1mA
输入电容：15 pF @ 30 V
连续漏极电流：310mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 310mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：625W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：350 nC @ 10 V
输入电容：16870 pF @ 100 V
连续漏极电流：96A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：22 毫欧 @ 47A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：200mW（Ta）
阈值电压：2.3V @ 1mA
输入电容：15 pF @ 30 V
连续漏极电流：310mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 欧姆 @ 310mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
类型：2个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：30W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
输入电容：1800 pF @ 50 V
连续漏极电流：17A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：220 毫欧 @ 8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1.4W（Ta）
阈值电压：2.5V @ 1mA
栅极电荷：1.7nC @ 5V
输入电容：100pF @ 10V
连续漏极电流：5.2A（Ta）
类型：2 N-通道（双）
导通电阻：85mOhm @ 5.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：2W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 1mA
栅极电荷：23.5 nC @ 4.5 V
输入电容：1660 pF @ 10 V
连续漏极电流：10A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：15.6mOhm @ 10A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：30W（Tc）
阈值电压：5V @ 250µA
栅极电荷：60 nC @ 10 V
输入电容：1800 pF @ 50 V
连续漏极电流：17A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：220 毫欧 @ 8.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
