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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta），35W（Tc）
栅极电荷：19 nC @ 10 V
输入电容：1030 pF @ 20 V
连续漏极电流：17A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：1W（Ta），35W（Tc）
栅极电荷：19 nC @ 10 V
输入电容：1030 pF @ 20 V
连续漏极电流：17A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：111 毫欧 @ 8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：150°C（TJ）
功率：255W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
栅极电荷：140 nC @ 10 V
输入电容：8800 pF @ 50 V
连续漏极电流：100A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：3.4 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
