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    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531KCS 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531KCS 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ140E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ140E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ140E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:288nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17000pF@25V

    连续漏极电流:701A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.53mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ140E-T1_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ140E-T1_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ140E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:288nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17000pF@25V

    连续漏极电流:701A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.53mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@50V

    连续漏极电流:19.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6284

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2162pF@40V

    连续漏极电流:24A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8800pF@20V

    连续漏极电流:58A€475A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8800pF@20V

    连续漏极电流:58A€475A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@50V

    连续漏极电流:19.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8800pF@20V

    连续漏极电流:58A€475A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8800pF@20V

    连续漏极电流:58A€475A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19531KCS 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531KCS 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:214W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.7mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4090DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:3.3V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@50V

    连续漏极电流:19.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5BT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8800pF@20V

    连续漏极电流:58A€475A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ140E-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ140E-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ140E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:288nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17000pF@25V

    连续漏极电流:701A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.53mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6284

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2162pF@40V

    连续漏极电流:24A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19502Q5B 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4870pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@19A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST006N04NM6AUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€250W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:178nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8800pF@20V

    连续漏极电流:58A€475A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6284

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2162pF@40V

    连续漏极电流:24A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19531Q5A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3870pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6284 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6284

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€78W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2162pF@40V

    连续漏极电流:24A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ140E-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ140E-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ140E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:288nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17000pF@25V

    连续漏极电流:701A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.53mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AON6278 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6278 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6278

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W€208W

    阈值电压:3.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4646pF@40V

    连续漏极电流:34A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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