销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ140E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17000pF@25V
连续漏极电流:701A
类型:N沟道
导通电阻:0.53mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ140E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17000pF@25V
连续漏极电流:701A
类型:N沟道
导通电阻:0.53mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6284
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€78W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2162pF@40V
连续漏极电流:24A€78A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@20V
连续漏极电流:58A€475A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@20V
连续漏极电流:58A€475A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@20V
连续漏极电流:58A€475A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@20V
连续漏极电流:58A€475A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4090DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@50V
连续漏极电流:19.7A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@20V
连续漏极电流:58A€475A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ140E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17000pF@25V
连续漏极电流:701A
类型:N沟道
导通电阻:0.53mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6284
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€78W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2162pF@40V
连续漏极电流:24A€78A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19502Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4870pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@19A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IST006N04NM6AUMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€250W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8800pF@20V
连续漏极电流:58A€475A
类型:N沟道
导通电阻:0.6mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6284
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€78W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2162pF@40V
连续漏极电流:24A€78A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6284
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€78W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2162pF@40V
连续漏极电流:24A€78A
类型:N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ140E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17000pF@25V
连续漏极电流:701A
类型:N沟道
导通电阻:0.53mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: