品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4240}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6892STRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@13V
连续漏极电流:28A€125A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4240}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6892STRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@13V
连续漏极电流:28A€125A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4240}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6892STRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@13V
连续漏极电流:28A€125A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6617TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.35V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:14A€55A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6614TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2560pF@20V
连续漏极电流:12.7A€55A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6614TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2560pF@20V
连续漏极电流:12.7A€55A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6614TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2560pF@20V
连续漏极电流:12.7A€55A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC2610
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:2.2A€9.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6614TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.25V@250µA
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2560pF@20V
连续漏极电流:12.7A€55A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@12.7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6617TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.35V@250µA
栅极电荷:17nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:14A€55A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4240}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6892STRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.1W€42W
阈值电压:2.1V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2510pF@13V
连续漏极电流:28A€125A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@28A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: