品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC320N20NS3GATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350 pF @ 100 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:32 毫欧 @ 36A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC320N20NS3GATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 90µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350 pF @ 100 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:32 毫欧 @ 36A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:63 nC @ 10 V
输入电容:1300 pF @ 25 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:850 毫欧 @ 4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH1N200P3HV
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:23.5 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:646 pF @ 25 V
连续漏极电流:1A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:40 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:63 nC @ 10 V
输入电容:1300 pF @ 25 V
连续漏极电流:8A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:850 毫欧 @ 4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH1N200P3HV
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:23.5 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:646 pF @ 25 V
连续漏极电流:1A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:40 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1758}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC320N20NS3GATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350 pF @ 100 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:32 毫欧 @ 36A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:75 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH1N200P3HV
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:23.5 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:646 pF @ 25 V
连续漏极电流:1A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:40 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":1758}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC320N20NS3GATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350 pF @ 100 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:32 毫欧 @ 36A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH1N200P3HV
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:23.5 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:646 pF @ 25 V
连续漏极电流:1A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:40 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C2M0160120D
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 500µA
栅极电荷:32.6 nC @ 20 V
包装方式:管件
输入电容:527 pF @ 800 V
连续漏极电流:19A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:196 毫欧 @ 10A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC320N20NS3GATMA1
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 90µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350 pF @ 100 V
连续漏极电流:36A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:32 毫欧 @ 36A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:75 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:75 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535 pF @ 25 V
连续漏极电流:30A(Tc)
类型:P 通道
导通电阻:75 毫欧 @ 21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH1N200P3HV
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:125W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:23.5 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:646 pF @ 25 V
连续漏极电流:1A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:40 欧姆 @ 500mA,10V
漏源电压:2000V
包装清单:商品主体 * 1
库存: