采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：63 nC @ 10 V
输入电容：1300 pF @ 25 V
连续漏极电流：8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：850 毫欧 @ 4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：23.5 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
连续漏极电流：1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：63 nC @ 10 V
输入电容：1300 pF @ 25 V
连续漏极电流：8A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：850 毫欧 @ 4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
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包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
连续漏极电流：1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
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类型：N 通道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
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包装方式：管件
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类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
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包装方式：管件
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类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
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规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
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包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
连续漏极电流：1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
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包装方式：管件
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类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
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包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
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类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：36 nC @ 10 V
输入电容：1030 pF @ 25 V
连续漏极电流：10A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：550 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
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类型：N 通道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：36 nC @ 10 V
输入电容：1030 pF @ 25 V
连续漏极电流：10A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：550 毫欧 @ 6A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：23.5 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
连续漏极电流：1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：39 nC @ 10 V
输入电容：1059 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.3A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：850 毫欧 @ 4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：23.5 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
连续漏极电流：1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：39 nC @ 10 V
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连续漏极电流：7.3A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：850 毫欧 @ 4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：39 nC @ 10 V
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连续漏极电流：7.3A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：850 毫欧 @ 4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
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包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
连续漏极电流：1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：39 nC @ 10 V
输入电容：1059 pF @ 25 V
连续漏极电流：7.3A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：850 毫欧 @ 4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
漏源电压：500V
功率：125W（Tc）
栅极电荷：39 nC @ 10 V
连续漏极电流：7.3A（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
导通电阻：850 毫欧 @ 4.8A，10V
输入电容：1059 pF @ 25 V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：23.5 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
连续漏极电流：1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：23.5 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
连续漏极电流：1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：125W（Tc）
输入电容：1030 pF @ 25 V
连续漏极电流：10A（Tc）
导通电阻：550 毫欧 @ 6A，10V
栅极电荷：36 nC @ 10 V
阈值电压：4V @ 250µA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH1N200P3HV
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：125W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：23.5 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：646 pF @ 25 V
连续漏极电流：1A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：40 欧姆 @ 500mA，10V
漏源电压：2000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
