品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3200,"19+":1000,"20+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL40B215
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5225pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@98A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3200,"19+":1000,"20+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL40B215
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:5225pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@98A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5.7W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5760pF@6V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: