品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.8A€8.2A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:18.5mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC45N04S6N070HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:3V@9µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:701pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:7mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB008A12GM3
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@46mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:13600pF@800V
连续漏极电流:182A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:10.4mΩ@150A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87331Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V€1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:518pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86356Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:1.85V@250µA€1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):8psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FF2MR12KM1HPHPSA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.15V@224mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:39700pF@800V
连续漏极电流:500A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:2.13mΩ@500A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.8A€8.2A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:18.5mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:2V@13µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2125}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0925NDATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1157pF@15V
连续漏极电流:15A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86360Q5D
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2060pF@12.5
连续漏极电流:50A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):18psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CAB008M12GM3
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:3.6V@46mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:13600pF@800V
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:10.4mΩ@150A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CAS300M12BM2
工作温度:150℃
功率:1660W
阈值电压:2.3V@15mA
包装方式:散装
输入电容:19500pF@800V
连续漏极电流:423A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5.7mΩ@300A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N050HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:3V@13µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1027pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":165144}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC45N04S6N070HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:41W
阈值电压:3V@9µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:701pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:7mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):4psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSM300D12P2E001
工作温度:-40℃~150℃
功率:1875W
阈值电压:4V@68mA
包装方式:托盘
输入电容:35000pF@10V
连续漏极电流:300A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1922pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87330Q3D
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86336Q3D
工作温度:-55℃~125℃
功率:6W
阈值电压:1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流:20A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD88584Q5DCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:12W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12400pF@20V
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:0.95mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD86350Q5DT
工作温度:-55℃~150℃
功率:13W
阈值电压:2.1V@250µA€1.6V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@12.5V€4000pF@12.5V
连续漏极电流:40A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):8psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FF2MR12KM1HPHPSA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.15V@224mA
包装方式:托盘
输入电容:39700pF@800V
连续漏极电流:500A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:2.13mΩ@500A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.25W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.8A€8.2A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:18.5mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4,"22+":112,"9999":3}
销售单位:个
规格型号(MPN):FF2MR12KM1PHOSA1
工作温度:-40℃~150℃
阈值电压:5.15V@224mA
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
输入电容:39700pF@800V
连续漏极电流:500A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:2.13mΩ@500A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:52W
阈值电压:2V@13µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1136pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4599,"23+":2164}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8540L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7940pF@20V
连续漏极电流:33A€156A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:1.5mΩ@33A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CAS300M12BM2
工作温度:150℃
功率:1660W
阈值电压:2.3V@15mA
包装方式:散装
输入电容:19500pF@800V
连续漏极电流:423A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:5.7mΩ@300A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7V4R2-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:3.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2590pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: