采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC45N04S6N070HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：3V@9µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：701pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CAB008A12GM3
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：3.6V@46mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：13600pF@800V
连续漏极电流：182A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：10.4mΩ@150A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87331Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V€1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：518pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86356Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：1.85V@250µA€1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1040pF@12.5V€2510pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：8psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF2MR12KM1HPHPSA1
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：5.15V@224mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：39700pF@800V
连续漏极电流：500A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.13mΩ@500A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：2125}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0925NDATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@15V
连续漏极电流：15A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8560L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11130pF@30V
连续漏极电流：22A€93A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.2mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86360Q5D
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF@12.5
连续漏极电流：50A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：18psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CAB008M12GM3
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：3.6V@46mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：13600pF@800V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：10.4mΩ@150A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CAS300M12BM2
工作温度：150℃
功率：1660W
阈值电压：2.3V@15mA
包装方式：散装
输入电容：19500pF@800V
连续漏极电流：423A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5.7mΩ@300A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6N050HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：3V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1027pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：165144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC45N04S6N070HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：41W
阈值电压：3V@9µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：701pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：7mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：4psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSM300D12P2E001
工作温度：-40℃~150℃
功率：1875W
阈值电压：4V@68mA
包装方式：托盘
输入电容：35000pF@10V
连续漏极电流：300A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6N031HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1922pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：3.1mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86336Q3D
工作温度：-55℃~125℃
功率：6W
阈值电压：1.9V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：494pF@12.5V€970pF@12.5V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD88584Q5DCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：12W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12400pF@20V
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：0.95mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD86350Q5DT
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：2.1V@250µA€1.6V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@12.5V€4000pF@12.5V
连续漏极电流：40A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：8psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF2MR12KM1HPHPSA1
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：5.15V@224mA
包装方式：托盘
输入电容：39700pF@800V
连续漏极电流：500A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.13mΩ@500A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4816BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.8A€8.2A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：18.5mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4，"22+"：112，"9999"：3}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FF2MR12KM1PHOSA1
工作温度：-40℃~150℃
阈值电压：5.15V@224mA
ECCN：EAR99
包装方式：托盘
输入电容：39700pF@800V
连续漏极电流：500A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：2.13mΩ@500A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC60N04S6L045HATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2V@13µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1136pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：4.5mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4599，"23+"：2164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CAS300M12BM2
工作温度：150℃
功率：1660W
阈值电压：2.3V@15mA
包装方式：散装
输入电容：19500pF@800V
连续漏极电流：423A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：5.7mΩ@300A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
