品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:2.8V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@30V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW21N150K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3145pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@7A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:7.4mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S320ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@64A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:2.8V@120µA
栅极电荷:89nC@10V
输入电容:6500pF@30V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:2.8V@120µA
栅极电荷:89nC@10V
输入电容:6500pF@30V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4104TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@42A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS52N15DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€230W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@36A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":20,"23+":3500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€156W
阈值电压:2.8V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@30V
连续漏极电流:30A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4104TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@42A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB52N15DPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€230W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@36A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":34892}
包装规格(MPQ):400psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP048NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@37A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS52N15DTRLP
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€230W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@36A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G-IRH1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€160W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6680pF@30V
连续漏极电流:35A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1964,"22+":23295,"23+":840,"24+":1142}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB52N15DPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€230W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@36A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1964,"22+":23295,"23+":840,"24+":1142}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB52N15DPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€230W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2770pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@36A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD85P04P407ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6085pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:P沟道
导通电阻:7.3mΩ@85A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTSC002N10MCTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:9W€255W
阈值电压:4V@520µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6305pF@50V
连续漏极电流:45A€236A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: