销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 PNP 预偏压（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

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输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

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特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 PNP 预偏压（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

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特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 PNP 预偏压（双）

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

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特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

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特征频率：250MHz

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销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

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特征频率：250MHz

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晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

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特征频率：250MHz

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特征频率：250MHz

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：150mV @ 250µA，5mA

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

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晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

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输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 PNP 预偏压（双）

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

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ECCN：EAR99

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

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晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 PNP 预偏压（双）

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

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晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 PNP 预偏压（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

包装方式：卷带（TR）

ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

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特征频率：250MHz

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晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 250µA，5mA

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包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 PNP 预偏压（双）

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

集电集截止电流(Icbo)：500nA（ICBO）

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：47千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 100µA，1mA

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ECCN：EAR99

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

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集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 PNP 预偏压式（双）

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

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直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：4.7千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 PNP 预偏压（双）

包装清单：商品主体 * 1

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集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @ 1mA，10mA

包装方式：卷带（TR）

直流增益(hFE@Ic，Vce)：100 @ 1mA，5V

集电极电流(Ic)：100mA

输入电阻：10千欧

集射极击穿电压(Vceo)：50V

特征频率：250MHz

功率：150mW

晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）

包装清单：商品主体 * 1