包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW21N150K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3145pF@100V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@7A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2225-E
工作温度:150℃
功率:50W
包装方式:管件
输入电容:984.7pF@30V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@1A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDFP03N150CG
工作温度:150℃
功率:2W€32W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW3N150
工作温度:150℃
功率:140W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:89.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3255pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@4A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":30,"22+":60}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDUL09N150CG
工作温度:150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2025pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK1835-E
工作温度:150℃
功率:125W
包装方式:管件
输入电容:1700pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,15V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N150K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW12N150K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:47nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.5A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2645}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3746
工作温度:150℃
功率:2.5W€110W
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.5nC@10V
包装方式:托盘
输入电容:380pF@30V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@1A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW3N150
工作温度:150℃
功率:63W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:29.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:939pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:9Ω@1.3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:89.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3255pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@4A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":17100,"23+":810,"MI+":540}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL03N150CG
工作温度:150℃
功率:2.5W€140W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30,"23+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL03N150CG
工作温度:150℃
功率:2.5W€140W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:10.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9N150
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:89.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3255pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@4A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP4N150
工作温度:150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:7Ω@2A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: