品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":827,"05+":23006,"07+":536,"08+":170,"11+":151,"MI+":239}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6630A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":157,"07+":186927}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y21-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:824pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":388,"22+":1882}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359BN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y21-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:824pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:UMW
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2306A
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN359AN
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@2.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y21-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:824pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y21-40E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:7nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:824pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":827,"05+":23006,"07+":536,"08+":170,"11+":151,"MI+":239}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6630A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@5V
输入电容:460pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: