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    栅极电荷: 7nC@5V
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    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订75个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订75个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6630A 起订1392个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6630A 起订1392个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":827,"05+":23006,"07+":536,"08+":170,"11+":151,"MI+":239}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6630A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN359AN 起订2361个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN359AN 起订2361个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":157,"07+":186927}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y21-40E,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y21-40E,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y21-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:824pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG 起订12500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG 起订12500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG 起订5000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM05N03CW RPG 起订5000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM05N03CW RPG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订2361个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订2361个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":388,"22+":1882}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359BN 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359BN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2306A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2306A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y21-40E,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y21-40E,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y21-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:824pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2306A 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2306A 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订11个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2304A 起订11个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2304A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2306A 起订97个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2306A 起订97个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2306A

    工作温度:150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN359AN 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN359AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@10V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y21-40E,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y21-40E,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y21-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:824pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y21-40E,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y21-40E,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y21-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:7nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:824pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6630A 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS6630A 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":827,"05+":23006,"07+":536,"08+":170,"11+":151,"MI+":239}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6630A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@5V

    输入电容:460pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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