销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60A
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4840
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6284
工作温度:-55℃~+150℃
功率:78W€7.4W
阈值电压:3.3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.162nF@40V
连续漏极电流:24A€78A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD2N60A
工作温度:-50℃~150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:295pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.7Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N50
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:50W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:37 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:1633 pF @ 25 V
连续漏极电流:12A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:520 毫欧 @ 6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:8.3W€500W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:220nC@10V
输入电容:12.5nF@50V
连续漏极电流:380A€49A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:8.3W€500W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:220nC@10V
输入电容:12.5nF@50V
连续漏极电流:380A€49A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:8.8nC@4.5V
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:1个N沟道
反向传输电容:45pF@10V
导通电阻:16mΩ@10V,6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-50℃~+150℃
功率:57W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:331pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:3Ω@1.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:7.2nC@10V
输入电容:315pF@15V
连续漏极电流:2.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:115mΩ@10V,2.6A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-50℃~+150℃
功率:56.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:11nC@10V
输入电容:325pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.4Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:6.2W€60W
阈值电压:2.7V@250μA
栅极电荷:68nC@10V
输入电容:1.92nF@30V
连续漏极电流:13A€40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:115pF@30V
导通电阻:14mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:3.2nC@4.5V
输入电容:270pF@15V
连续漏极电流:3.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@10V,3.8A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:IGBT
销售单位:个
栅极阈值电压(Vge(th)):2.4V@15V,50A
关断延迟时间:141ns
反向恢复时间:261ns
开启延迟时间:37ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:76nC
导通损耗:1.92mJ
工作温度:-55℃~+175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:6.1nC@4.5V
输入电容:540pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:97mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),30W(Tc)
阈值电压:2.9V @ 250µA
栅极电荷:10 nC @ 10 V
输入电容:390 pF @ 50 V
连续漏极电流:4A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:68 毫欧 @ 5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:10.8nC@10V
输入电容:650pF@20V
连续漏极电流:6A
类型:2个N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.8W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:18nC@4.5V
输入电容:1.14nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.8W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:18nC@4.5V
输入电容:1.14nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ@8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:245pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@10V,4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS32310
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400W€6.2W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:240nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15.35nF@15V
连续漏极电流:60A€400A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.05mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO3415C
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7506
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€20.5W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:542pF@15V
连续漏极电流:12A€12A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66912
工作温度:-55℃~+175℃
功率:8.3W€500W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.5nF@50V
连续漏极电流:380A€49A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOM065V120X2Q
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4406A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6268
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.52nF@30V
连续漏极电流:44A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:600pF@15V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:20mΩ@6.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6403
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9120pF@15V
连续漏极电流:21A€85A
类型:P沟道
导通电阻:3.1mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: