品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6321-TL-E
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:83mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2990}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6321-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:83mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":12886}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1332-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:375pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J145TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3981}
包装规格(MPQ):361psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HAT2218R-EL-E
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:散装
输入电容:630pF@10V
连续漏极电流:8A€7.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:24mΩ@3.75A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:103mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STR2N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STT5N2VH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:367pF@16V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03HZGTL
工作温度:150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3067LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:447pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J327R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@10V
连续漏极电流:3.9A
类型:P沟道
导通电阻:93mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RTR025N03TL
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@10V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: