品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD15P06A-AU_L2_000A1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:879pF@30V
连续漏极电流:15A€4A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6484
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:3.3A€12A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.256nF@30V
连续漏极电流:16A€5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.256nF@30V
连续漏极电流:16A€5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6484
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:3.3A€12A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6484
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@50V
连续漏极电流:3.3A€12A
类型:N沟道
导通电阻:79mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.256nF@30V
连续漏极电流:16A€5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.256nF@30V
连续漏极电流:16A€5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.256nF@30V
连续漏极电流:16A€5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.256nF@30V
连续漏极电流:16A€5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.256nF@30V
连续漏极电流:16A€5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
连续漏极电流:20A
栅极电荷:44nC@10V
导通电阻:60mΩ@10A,10V
功率:2W€25W
工作温度:150℃
类型:N沟道
输入电容:2150pF@20V
包装方式:管件
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6484
阈值电压:2.7V@250µA
导通电阻:79mΩ@7.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:2W€25W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.3A€12A
输入电容:942pF@50V
漏源电压:100V
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: