品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4290A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4525pF@50V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1000,"15+":10500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS115ANKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1000,"15+":10500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS115ANKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1000,"15+":10500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS115ANKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1000,"15+":10500,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BTS115ANKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@7.8A,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4290A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4525pF@50V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4290A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4525pF@50V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4290A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4525pF@50V
连续漏极电流:15.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@15.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1190pF@25V
连续漏极电流:15.5A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: