品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3 G
功率:136W
阈值电压:4V@83μA
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:11mΩ@10V,75A
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP041N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13800pF@60V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP114N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":568}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D9N12C
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€333W
阈值电压:4V@686µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8894pF@60V
连续漏极电流:18A€210A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP048N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@60V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB036N12N3 G
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:13800pF@60V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Macom
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):20psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CG2H40045F
功率:120V
ECCN:EAR99
包装方式:托盘
连续漏极电流:120V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC080N12LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.4V@112µA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7400pF@60V
连续漏极电流:12A€99A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT100N12D5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:120W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:3.05nF@60V
连续漏极电流:70A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@60V
导通电阻:7.5mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC037N12NM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€214W
阈值电压:3.6V@111µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@60V
连续漏极电流:19.2A€163A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@60V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":10639,"24+":1320}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT030N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:198nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@60V
连续漏极电流:24A€237A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB038N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:211nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13800pF@60V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):MMRF1018NR1
功率:120V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:120V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP114N12N3 G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:136W
阈值电压:3V
栅极电荷:49nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:75A
类型:MOSFET
导通电阻:11.4mΩ
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP048N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@230µA
栅极电荷:182nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@60V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT030N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:198nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@60V
连续漏极电流:24A€237A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
阈值电压:4V@370A
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@60V
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP147N12N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@60V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@56A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":19000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI70N12S3L12AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:77nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12.1mΩ@70A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2796,"MI+":2903}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC077N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@60V
连续漏极电流:13.4A€98A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: