品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
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销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
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销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
漏源电压:120V
输入电容:4310pF@60V
阈值电压:3V@83µA
导通电阻:11mΩ@75A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
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生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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生产批次:{"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
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销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:3V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@60V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@75A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存: