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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT035N12T
阈值电压：4V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT035N12T
阈值电压：4V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT035N12T
阈值电压：4V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
漏源电压：120V
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
导通电阻：4.4mΩ
功率：225W
类型：N
工作温度：+150℃
连续漏极电流：72A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
漏源电压：120V
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
导通电阻：4.4mΩ
功率：225W
类型：N
工作温度：+150℃
连续漏极电流：72A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT035N12T
阈值电压：4V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.1mΩ@10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X(S
工作温度：+150℃
功率：225W
阈值电压：4V
栅极电荷：130nC@10V
连续漏极电流：72A
类型：N
导通电阻：4.4mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS008N12MCT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：102W
阈值电压：4V
栅极电荷：33nC
连续漏极电流：79A
类型：MOSFET
导通电阻：8mΩ
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
