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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK56A12N1，S4X
功率：45W
输入电容：4200pF@60V
工作温度：150℃
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
漏源电压：120V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
导通电阻：7.5mΩ@28A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
输入电容：8100pF@60V
工作温度：150℃
栅极电荷：130nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：120V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
功率：255W
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
连续漏极电流：72A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
栅极电荷：34nC@10V
连续漏极电流：32A
输入电容：2000pF@60V
工作温度：150℃
类型：N沟道
漏源电压：120V
包装方式：管件
阈值电压：4V@500µA
功率：30W
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK72E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8100pF@60V
连续漏极电流：72A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@36A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：98W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：98W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：98W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK32E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：98W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@60V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.8mΩ@16A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK42E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：140W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@60V
连续漏极电流：88A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@21A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
