采购热线 400-661-9010
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFW02009
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：P沟道
导通电阻：640mΩ@550mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：6000，"15+"：105000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMG370XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.65nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@25V
连续漏极电流：960mA
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFW02009
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：P沟道
导通电阻：640mΩ@550mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50.6nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2425pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4003NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFW02009
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：58pF@10V
连续漏极电流：850mA
类型：P沟道
导通电阻：640mΩ@550mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCP8407，LF
工作温度：150℃
功率：690mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：505pF@10V€810pF@10V
连续漏极电流：5A€4A
类型：N和P沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2039UFDE4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2530pF@15V
连续漏极电流：7.3A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4003NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC8602
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：350mΩ@1.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：690mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：1.15nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@5V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
